自碳化硅MOS管被用于Model3牽引電驅(qū)動以來，全世界對碳化硅的討論并沒有停止，還推動了碳化硅MOS管在充電樁和新能源汽車上的應(yīng)用，從而提高充電速度和充電里程。

　　現(xiàn)在，碳化硅MOS可以提供750v的典型電壓范圍，該公司希望將以前僅限于新能源汽車、宇宙飛船和先進工業(yè)控制的技術(shù)引入消費者的充電頭。近年來，氮化鎵以其高效率、體積小、高密度快充而受到廣泛關(guān)注，也為第三代半導體在消費市場的應(yīng)用敲響了號角。

　　碳化硅MOS管，也作為第三代半導體，從未出現(xiàn)在消費電子產(chǎn)品中，原因有三

　　1、成本高

　　2、其驅(qū)動電壓高于常規(guī)硅器件，與主流PWM IC兼容性差;一般工業(yè)控制采用碳化硅MOS管需要增加一個柵驅(qū)動

　　3、在快速開關(guān)過程中，一些碳化硅器件存在嚴重的電磁干擾問題。為了將碳化硅MOS管應(yīng)用到消費市場，必須首先解決以上三個問題。

　　碳化硅MOS管首先對PWM IC常用的柵極驅(qū)動電壓進行了改進和設(shè)計，將柵極驅(qū)動電壓降低到12v，可以與現(xiàn)有PWM IC常用的柵極驅(qū)動電壓相匹配。碳化硅MOS管可以使用類似于硅結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動方案來推動，極大地簡化了用戶設(shè)計和開發(fā)的難度和時間。

　　在成本方面，碳化硅MOS管在產(chǎn)品設(shè)計和制造成本方面進行了全面優(yōu)化，使其價格不再遙不可及。

　　對于65WPD快速充電解決方案，客戶在設(shè)備上的成本與碳化硅MOS管GaN器件相差不大。由于相對簡單的調(diào)試、驅(qū)動和EMI處理，整體BOM可能會進一步減少。